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強誘電体メモリ 物理から応用まで
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| 著者 | James F. Scott (著) 田中均洋・三浦薫・磯辺千春 (訳) |
|---|---|
| 出版社 | シュプリンガー・フェアラーク東京 |
| ジャンル | 専門書 |
| ISBNコード | 9784431710578 |
| 登録日 | 2014/11/03 |
| リクエストNo. | 60937 |
リクエスト内容
強誘電体メモリ(FeRAM)の専門書
デバイスの動作原理・材料作製・回路設計・特性評価等が一通り纏められている。
『本書が目指すのは、現在の水準の強誘電体薄膜メモリに関してのデバイス物理学の知識と、回路設計、材料の作製方法や評価法、および試験の手順との融合である。エンジニアやデバイス物理の研究者はもちろん、電気工学や応用物理学の研究者・学生にとっても「初めての教科書」である。』
2003年11月 刊
復刊リクエスト理由
FeRAMの専門書では本書が最も新しいが、シュプリンガー・ジャパン及び丸善出版では、既に取り扱いが無い。
読後レビュー
NEWS
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2014/11/03
『強誘電体メモリ 物理から応用まで』（James F. Scott (著) 田中均洋・三浦薫・磯辺千春 (訳)）の復刊リクエスト受付を開始しました。
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