アドバンストエレクトロニクスシリーズ I-9

参照; http://www.washin.co.jp/honya/outline/4-563-03609-9.htm

超ＬＳＩメモリの設計は、着想の宝庫ともいえるエキサイティングな分野である。
本書は、超ＬＳＩメモリの黎明期から最前線で設計に携わってきた著者が、体系的に設計技術を解
説した貴重な成書である。まず、各種の超ＬＳＩメモリの動作原理とＭＯＳ集積回路の基礎を詳述
する。
次いで、代表的存在であるダイナミックメモリをとりあげて、その高性能化技術（高Ｓ／Ｎ技術、
内部電源電圧発生回路技術など）について具体的に論じる。
さらに超高速システムメモリ技術や、サブスレッショルド電流の問題とその低減回路技術に力点を
おいて超ＬＳＩメモリの将来を展望している。
実際に現場で設計を始める技術者のみならず、超ＬＳＩメモリの広く深い理解をめざす初学者・研
究者の座右の書である。
［主要目次］
１、メモリＬＳＩの基礎
２、ＤＲＡＭ回路
３、ＤＲＡＭの高Ｓ／Ｎ技術
４、内部電源電圧発生回路
５、メモリ技術の応用と展望