「アドバンストエレクトロニクスシリーズ」 I-5

参照 : http://www.washin.co.jp/honya/outline/4-563-03605-6.htm

本書は、現在までのシリコン結晶の大直径化およびデバイスプロセスにおける高度な品質管理技術の歴史を振り返りながら、単結晶シリコン製造法とウェーハ加工の実際およびデバイスプロセス中に発生する種々の技術的問題を検討し、さらに将来のデバイスに要求されるウェーハ開発のための技術について詳述した解説書である。
技術開発の最前線において活躍してきた著者の観察と分析は示唆に富み、単結晶製造・ウェーハ加工に携わる人々はもとより、広く電子デバイスの研究・開発にかかわる研究者・技術者に必携の書である。
［主要目次］
１、シリコン結晶と技術革新－過去から現在まで－
２、なぜシリコン単結晶が必要か
３、シリコン単結晶成長
４、ウェーハ加工
５、シリコン融液からの結晶成長
６、添加不純物の偏析現象
７、軽元素の偏析と結晶中の振る舞い
８、酸素析出
９、熱処理と転位（スリップ）の発生
１０、重金属の偏析と結晶中の振る舞い
１１、点欠陥と二次欠陥
１２、シリコンウェーハの表面
１３、ＵＬＳＩのための貼り合わせＳＯＩ技術